台湾半導体研究所

研究機関の概要

所在国	台湾
日本語表記	台湾半導体研究所
英語表記	Taiwan Semiconductor Research Institute (TSRI)
現地語表記	台灣半導體研究中心
主管省庁・部局	科技部
本部所在地	新竹基地：新竹市科學園區展業一路26號
キャンパス所在地	台南基地　成大奇美ビル
土地・建物等の面積（㎡）	35,836（新竹基地建物面積）　57,029（台南基地土地面積）　4,781（台南基地建物面積）
ウェブサイト	https://www.tsri.org.tw/main.jsp
ニュースページ	https://www.tsri.org.tw/main.jsp
予算（ドル）	34,175,281　※2022年3月末換算
創立年	2003年

沿革

1998年、前身の「国立サブミクロンコンポーネント実験室（國家次微米元件實驗室）」が設立。その後組織再編等を経て、2019年、後身の「国立チップシステム設計センター（國家晶片系統設計中心：CIC）」と「国立ナノデバイス実験室（國家奈米元件實驗室：NDL）が合併し、国家実験研究院（NARLabs）台湾半導体研究所（TSRI）となる。

組織・人員

組織

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研究者数

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研究支援者数

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研究活動

代表的なプロジェクト、研究成果、産学連携など

TSRIが重視するコア技術は以下の通り。
【ICデザイン・システム統合】：EDAクラウドコンピューティング、AIチップ開発、CMOS製造、MEMS製造、高電圧製造、SoC測定、高周波回路・システム測定、アナログIC測定。
【半導体製造】：非平面型半導体デバイス製造、Ge/III-V族選択エピタキシー製造、2次元材料、デバイス後工程での回路集積、異種集積パッケージ、3次元異種集積、抵抗ランダムアクセスメモリ、環境発電デバイス、MEMS/マイクロ流体システム。

近年の具体的な研究成果は以下の通り。
・プロセッサー・シリコンの世界的リーダーであるArm社と「AIコンピューティング・シリコン研究プロジェクト」を締結し、台湾アカデミアのAIチップ設計・イノベーションの研究開発を支援
・清華大学、国立台湾大学、ITRIと新型のスピン軌道モーメント磁気メモリ（SOT-MRAM）を共同開発
・産業技術総合研究所との低温チップ接合技術の共同開発

研究機関の特徴

TSRIは、半導体研究に特化した台湾の産学研のサービスプロバイダーとして位置づけられている。デバイス製造、回路設計、システム統合の技術を完備した台湾唯一のオープンラボ研究環境を提供し、生命科学、光学、電子工学、機械、回路設計、システム工学の専門家がさまざまな手段で連携し、学際的な研究成果の達成や複合技術の開発に取り組んでいる。TSRIは、NARLabの4つのミッション（研究開発基盤の確立、学術研究の支援、先端科学技術の振興、ハイテク人材の獲得）に従い、世界最高水準の研究拠点を目指して、以下の活動を続けている。
・世界トップクラスの半導体設備と融合した開かれた研究環境を構築し、産学官の先端研究を推進するとともに、台湾の学術研究機関の集積デバイス研究能力を高め、世界的な学術的プレステージを確立する。
・学術研究協力を通じて、専門的な能力を育成する。
・NARLabsの研究開発プラットフォームを活用し、産業関連技術の開発、技術移転や特許出願の推進に関し産学官の研究チームと連携・協働する。

その他

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