インド理科大学院(IISc) は2月8日、韓国のサムスン電子の研究開発部門であるサムスン・セミコンダクター・インディア・リサーチ(SSIR) と、オンチップ静電気放電(ESD)保護分野の研究開発を促進するための研究協定書を結んだことを発表した。

最先端の集積回路(IC)やシステムオンチップ(SoC)製品は、身の回りにある小型から大型までのあらゆる機器に不可欠なものだ。特にナノスケールCMOS技術を使用して開発されたものはESD破壊に敏感で、ICチップの故障や返品の大半はESD破壊に起因するものといわれている。

IIScとSSIRのパートナーシップはICやSoCの超高速シリアルインターフェースを保護するための最先端のESDデバイスソリューションの構築を目指している。研究はIISc電子システム工学科(DESE)のマヤンク・シュリバスタバ (Mayank Shrivastava)教授のグループによって進められ、研究成果はサムスンの先端プロセスノードで展開される予定だ。

SSIRのコーポレート・バイス・プレジデント兼マネージング・ディレクターであるバラージー・ソーリラジャン(Balajee Sowrirajan) 氏とIIScのディレクターであるゴヴィンダン・ランガラジャン(Govindan Rangarajan) 教授により、本パートナーシップの研究協定書が交わされた。ソーリラジャン氏は「半導体の技術革新を促進するためにIIScと提携できることをうれしく思う。IIScで得られる専門知識とともにESDの研究を発展させると同時に、学生の能力開発を促進し、若手研究者による起業を奨励することを目的としている」と表明した。

これに対し、ランガラジャン教授は「先進的なナノエレクトロニクスデバイスという重要な分野でSSIRと協力できることをうれしく思う。このパートナーシップは今後数年間で産学連携を強化するという私たちの方針と合致している」と語った。

サイエンスポータルアジアパシフィック編集部